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20N60 MOSFET specs: N-Ch/600V/20A. View the complete datasheet, pin configuration, and find equivalent or replacement transistors.
Jul 1, 2025 · 20N60是一种常见的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。 该器件采用N沟道增强型结构，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力。 其封装形式通常为TO-220，适合于中高功率的应用场合。
FCP20N60 1个N沟道 耐压:600V 电流:20A 描述 SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET产品系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。
The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state re...
型号： 20N60 类型： N沟道场效应管 漏极电流（ID）： 20 A 漏极和源极电压（V DSS）： 600 V
Mar 8, 2023 · 编辑-Z ASEMI高压MOS管20N60参数： 型号：20N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150 ℃ 静态漏源导通电阻（RDS (ON)）：0.4 Ω 二极管正向电压（VSD）：1.4V 输入电容（Ciss）：3520pF
20N60作为耐压600V、20A的N沟道MOSFET，在高压开关场景应用广泛，存在多型号代换方案且兼容性优异。 1. 关键参数解读 • 额定值：漏源电压600V（Vds）匹配高压需求，25℃下持续漏极电流20A，但在高温100℃时会降至12.5A，需预留散热冗余
