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FGA25N120ANTDTU中文资料_最新报价_数据手册下载_onsemi (安森美)-IGB...
FGA25N120ANTDTUIGBT管/模块，onsemi (安森美)原厂出品，封装TO-3PN，价格￥22.55元。 提供高清引脚图、PCB焊盘图、3D模型及Datasheet数据手册，支持选型与设计参考，正品现货，一站式元器件采购尽在立创商城。
25n120引脚图
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FGA25N120 Datasheet (PDF) - ON Semiconductor
Part #: FGA25N120. Download. File Size: 1MbKbytes. Page: 9 Pages. Description: 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT. Manufacturer: ON Semiconductor.
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FGA25N120ANTDTU - NPT Trench lGBT 1200 V, 25 A - onsemi
Using onsemi’s proprietary trench design and advanced NPT Technology, the 1200 V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is we...
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ASEMI场效应管25N120参数，25N120规格，25N120描述 - 知乎
编辑-Z 25N120详细参数：型号：ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极电流（IC）：25A 脉冲集电极电流（ICM）：75A 二极管连续正向电流（IF）：25A 二极管…
blog.csdn.net
25N120-ASEMI的MOS管25N120_25n120场效应管引脚图-CSDN博客
Oct 21, 2021 · 25N120是一款采用TO-247封装的大电流MOS管，具备GPP芯片材质，适用于开关电源、LED照明等领域。 其主要电性参数包括25A的集电极电流 (Ic)，1200V的集电极-发射极电压，以及5.5V的G-E极阈值电压。 该器件能承受75A的脉冲集电极电流，并能在-55~150℃的温度范围内工作。
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25N120 Datasheet - 1200V, 50A, IGBT - IXGH25N120 - IXYS
Mar 24, 2023 · The 25N120 is High Speed IGBT. High-Speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) refers to a type of power semiconductor device that combines the features of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-...
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25N120 Datasheet PDF - Fairchild Semiconductor
25N120 Datasheet : 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT, 25N120 PDF Download Fairchild Semiconductor, 25N120 Datasheet PDF, Pinouts, Data Sheet, Equivalent, Schematic, Cross reference, Obsolete, Circuits