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型号： 3DD4E 类型： NPN三极管 集电极耗散功率（PC）： 【管壳温度（Tc）＝75 ℃】10 W 集电极电流（IC）：1.5 A 集电极与基极最高耐压（V CBO）： 350 V 集电极与发射极最高耐压（V CEO）： …

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3DD4E-T中文资料PDF_3DD4E-T芯片概述/特性/原理及引脚图等信息

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3DD4E 晶体管资料 3DD4E别名：3DD4E三极管、3DD4E晶体管、3DD4E晶体三极管 3DD4E生产厂家：中国大陆半导体企业 3DD4E制作材料：Si-NPN 3DD4E性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 …

3DD4E Datasheet, PDF - Datasheet Search Engine

3DD4E Datasheet. 278Kb/2P. Part #: 3DD4E. Manufacturer: Inchange Semiconductor Company Limited. Description: isc Silicon NPN Power Transistor. 1 Results.

3DD4E (T)硅低频大功率三极管_电子元器件_维库仪器仪表网

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3DD系列低频大功率三极管主要特性参数介绍-基础电子

D4E 数据表, PDF - Alldatasheet

D4E 数据表. 部件名: 3DD4E. 数据表: 278Kb/2P. 制造商: Inchange Semiconductor Company Limited. 功能描述: isc Silicon NPN Power Transistor. 306 Results. 部件名: AS24D4E. 数据表: 319Kb/4P. 制造 …

3DD4E-T批发采购价格技术参数-114ic电子网

2024年11月7日 · 型号： 3DD4E-T 别名： 三极管、晶体管、晶体三极管 生产厂家： 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L 封装形式： 直插封装 极限工作电压： …