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标准的AO3400是无铅的 (符合ROHS和索尼259的规格)。 AO3400A主要参数 FET类型：N通道 漏源电压 （Vdss）：30V Vgs（最大值）：±12V 功率耗散 （最大值）：1.4W（Ta） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta） 驱动电压 （最大Rds On，最小Rds On）：2.5V，10V
惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。 场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由 ...
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Jul 18, 2025 · 以 NK3400A 为例，其耐压值达 30V，导通电阻低至 22mΩ，额定电流为 6A，各项性能指标与 AO3400 高度契合，能在消费电子、电源管理等电路中无缝替换，确保电路稳定运行，且无需对原有电路进行大规模改动，极大降低了替换成本与时间成本。
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Sep 26, 2023 · N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23
Feb 16, 2023 · 相关推荐 • ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线 2696 • MOS管（场效应管）AO3400参数【原装正品】大量现货供应 1740 • 100V低压MOS N沟道MOS管 替代AO3400国产场效应管 高性价比 1881 • ASEMI场效应管AO3400规格书下载 15 • AO3400-ASEMI高效mos管AO3400 1267
SL3054X 替换AO3400 国产场效应管 30VN型MOS管 应用方案
SL3054X 替换AO3400 国产场效应管 30VN型MOS管-Description The SL3054 us es advanced trench technologyto provide excellent RDS (ON) , low gate charge andoperation with gate voltages as low as 2.5V.
AO3400场效应管 (MOSFET)，Hottech (合科泰)原厂出品，数量1个N沟道，漏源电压 (Vdss)30V，连续漏极电流 (Id)5.8A，封装SOT-23，价格￥0.0936元。 提供高清引脚图、PCB焊盘图、3D模型及Datasheet数据手册，支持选型与设计参考，正品现货，一站式元器件采购尽在立创商城。
