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fqpf5n60c参数
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High Voltage MOSFETs | FQPF5N60C
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。 此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量 …
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FQP5N60C / FQPF5N60C - Mouser Electronics
2022年12月11日 · These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts. 4.5 A, 600 V, RDS(on) = 2.5 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, …
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FQPF5N60C Datasheet (PDF) - Fairchild …
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【FQPF5N60C PDF数据手册】_中文资料_ (飞兆/仙童 ...
2022年11月4日 · Fairchild（飞兆/仙童）FQPF5N60C参数（TO-220F N-Channel 600V 4.5A 2.5ohms，封装：TO-220-3），FQPF5N60C中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载（10 …
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FQPF5N60C_百度百科
该器件最大漏源击穿电压600V，连续漏极电流4.5A，导通电阻为2.5Ω（Vgs=10V条件下测试），适用于高效开关电源、有源功率因数校正电路等场景。 该晶体管支持通孔安装配置，最大功耗33W。 其内 …
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FQPF5N60C onsemi | 分立半导体产品 | DigiKey
来自 onsemi 的 FQPF5N60C – 通孔 N 通道 600 V 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F-3。 DigiKey 提供数以百万计电子元器件的定价和供应信息。
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FQPF5N60C onsemi / Fairchild | Mouser
FQPF5N60C onsemi / Fairchild MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series 数据表, 库存, 价格.
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FQPF5N60数据手册DatasheetMOS管-ON Semiconductor ...
QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数 …
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FQPF5N60C - onsemi
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using onsemi’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored …