IRFP250N - N 沟道功率 MOSFET | Infineon英飞凌官网
IRFP250N 是一款 N 沟道功率 MOSFET,其最大 VDS:200 V,最大 RDS (on):75 mOhm,封装:TO-247,技术:IR MOSFET ™ ,最大 ID:30 A
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IRFP250N 是一款 N 沟道功率 MOSFET,其最大 VDS:200 V,最大 RDS (on):75 mOhm,封装:TO-247,技术:IR MOSFET ™ ,最大 ID:30 A
IRFP250N is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 200 V, RDS (on) max: 75 mOhm, Package: TO-247, Technology: IR MOSFET™, ID max: 30 A
IRFP250N 1个N沟道 耐压:200V 电流:30A SMT 扩展库 SMT补贴 嘉立创 PCB 免费打样 描述 IRFP250N 是一款采用先进 MOSFET 技术制造的硅 N 沟道增强型 MOSFET,该技术可降低导 … 品牌: Minos(迈诺斯) 可預約狀態: 有庫存
2025年10月9日 · 耐压高达500V,连续漏极电流可达30A,瞬态峰值甚至能扛250A! 划重点👉这不是实验室数据,是实打实用在H桥、开关电源、太阳能逆变器里的真实表现。
2024年7月17日 · IRFP250N是一款N沟道MOSFET器件,具有极低的导通电阻和高的开关速度,常用于功率放大器、开关电源、DC-DC变换器和PWM调光等领域。 该器件最大耐压为200V,最 …
2025年7月14日 · IRFP250N这款经典MOSFET绝对值得你拥有! 作为一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管,它具备高达30A的持续漏极电流和200V的耐压能力,广泛适用于各类高功率场 …
2025年7月14日 · 那这款IRFP250N绝对值得你拥有! 全新原装,200V耐压+30A大电流,广泛适用于电源、电机控制、DC-DC转换等高要求场景。 本文将带你深入了解它的参数优势、应用场 …
2025年1月10日 · Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
2025年7月20日 · 接下来这位是IRFP250N,和IRFP260N是“兄弟型号”,但它耐压更高,达到200V,最大漏极电流40A,虽然电流略低,但在高压应用中表现更稳⚡。