IRFP4368 - N 沟道 MOSFET | Infineon英飞凌官网
IRFP4368 是一款 N 沟道功率 MOSFET,其最大 VDS:75 V,最大 RDS (on):1.85 mOhm,封装:TO-247,技术:IR MOSFET ™ ,最大 ID:350 A
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IRFP4368 是一款 N 沟道功率 MOSFET,其最大 VDS:75 V,最大 RDS (on):1.85 mOhm,封装:TO-247,技术:IR MOSFET ™ ,最大 ID:350 A
查看更多內容 场效应管 (MOSFET)IRFP4368PBF,Infineon (英飞凌)原厂,封装TO-247AC。 高清引脚图、PCB焊盘图、3D模型、Datasheet数据手册,¥5.0064 正品现货,立创商城一站式元器件采购。 品牌: Infineon(英飞凌) 可預約狀態: 有庫存
IRFP4368 数据手册 MOS管 IRFP4368PBF - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数 类型 描述 安装方式 Through Hole 引脚数 3 Pin 封装 TO-247-3 额定功率 520 W 通道数 1 Channel 查看更多
irfp4368场效应管参数 这些参数表明IRFP4368是一款高电流、高压、低导通电阻的MOSFET,适用于需要高效能和高功率处理能力的电力电子应用。 请注意,实际使用时应参考器件的数据手册以获取详 …
Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Bond wire current limit is 195A. Note that current limitations arising from heating of the device leads may occur with …
部件名: IRFP4368. 功能描述: N-Channel MOSFET Transistor. 文件大小: 336.16 Kbytes. 制造商: Inchange Semiconductor Company Limited.
IRFP4368 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 75 V, RDS (on) max: 1.85 mOhm, Package: TO-247, Technology: IR MOSFET™, ID max: 350 A
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