irfp7530参数

IRFP7530 - N 沟道 MOSFET | Infineon英飞凌官网

IRFP7530 是一款 N 沟道功率 MOSFET，其最大 VDS：60 V，最大 RDS (on)：2 mOhm，封装：TO-247，技术：StrongIRFET ™ ，最大 ID：195 A

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IRFP7530PBF Infineon Technologies | Single FETs, MOSFETs | DigiKey

IRFP7530PBF - N-Channel 60 V 195A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247 from Infineon Technologies. View datasheets, pricing and availability from DigiKey now!

IRFP7530参数_晶体管元件查询_电子爱好者

类型： N沟道场效应管. 漏极和源极电压（V DSS）： 60 V. 漏极和源极通态电阻（R DS (on)）： 0.002 Ω. 封装： TO-247.

IRFP7530 MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET 数据手册 - 芯文库

IRFP7530 MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET 数据手册 INFINEON IRFP7530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V。

IRFP7530 - N-channel MOSFETs | Infineon Technologies

IRFP7530 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 60 V, RDS (on) max: 2 mOhm, Package: TO-247, Technology: StrongIRFET™, ID max: 195 A

IRFP7530 Datasheet, PDF - Alldatasheet

Description: N-Channel MOSFET Transistor. 3 Results. Part #: IRFP7530PBF. Datasheet: 538Kb/10P. Manufacturer: International Rectifier.

IRFP7530PBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET | DigiKey

来自 Infineon Technologies 的 IRFP7530PBF – 通孔 N 通道 60 V 195A（Tc） 341W（Tc） TO-247。 立即到 DigiKey 查看规格书、定价和供货情况！

IRFP7530PBF Infineon Technologies - Mouser

IRFP7530PBF Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO247 数据表, 库存, 价格.

Data Sheet - IRFP7530 - Infineon Technologies

Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Bond wire current limit is 195A by source bonding technology. Note that current limitations arising from heating of the …