k15J50D管脚图

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K15J50D - VBsemi MOS管制造商

产品简介: K15J50D-VB是一款TO3P封装Single-N-Channel沟道场效应晶体管。 产品采用SJ_Multi-EPI Technology,Vds为600V;Vgs为30(±V);而Ida是15A。 K15J50D-VBMOSFET可广泛应用于各 …

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K15J50D参数_晶体管元件查询_电子爱好者

电压 V 电流 A 型号: K15J50D 类型: N沟道场效应管 耗散功率(PD): 【管壳温度(Tc)=25 ℃】210 W 漏极电流(ID): 【环境温度(Ta)=25 ℃】15 A 漏极和源极电压(V DSS): 500 V 漏极 …