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7N65场效应管 (MOSFET)，HXY MOSFET (华轩阳电子)原厂出品，数量1个N沟道，漏源电压 (Vdss)650V，连续漏极电流 (Id)7A，封装TO-252-2L，价格￥0.8272元。 提供高清引脚图、PCB焊盘图、3D模型及Datasheet数据手册，支持选型与设计参考，正品现货，一站式元器件采购尽在立创商城。
The UTC 7N65 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics.
Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to redu...
7N65 Datasheet: MOSFET/N-Ch/650V/7.4A. View the complete specification and find equivalents, replacement transistors, pin configuration.
Jun 8, 2022 · 7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流 (ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。 7N65的功耗 (PD)为50W，静态漏源导通电阻 (RDS (ON))为1.25Ω。 7N65的电性参数是：二极管正向电压 (VSD)为1.4V，反向恢复时间 (Trr)为293nS，输出电容 (Coss)为95pF，其中有3条引线。
C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20%.
该型号的命名中，“7N65”通常代表其主要电气特性，其中“7”表示最大漏极电流为7A，“65”表示最大漏源电压为650V。 CJPF07N65是该器件的另一种命名方式，可能由不同的制造商或供应商命名规范而产生。
Mar 12, 2024 · KIA7N65H是一款高性能场效应管，具有出色的性能和可靠性，漏极电流7A，漏源击穿电压高达650V，导通电阻仅为1.2Ω，在10V的栅极电压下能够提供稳定的性能；能够替代仙童等品牌7n65型号进行使用。
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，拥有出色的650V高耐压性能及7A电流处理能力。专为要求严苛的消费电子开关应用设计，有效提升系统能效与稳定性，是高压环境下优化电路的理想半导体器件。
7N65 - Free download as PDF File (.pdf), Text File (.txt) or read online for free. This document provides specifications for an N-channel power MOSFET transistor. It details maximum ratings, electrical characteristics...
