KNP9120A参数

KNP9120A MOSFET: N-Ch, 200V, 40A. Full datasheet with pin…

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KIA-9120A

Absolute maximum ratings. Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. 6. Thermal Characteristics. 7. Electrical …

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Mar 27, 2025 · KIA半导体 - 中韩协作 、创芯设计，十年专注场效应管（MOSFET）领域，为各行业定制调控参数。

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类型： N沟道场效应管. 漏极和源极电压（V DSS）： 200 V. 栅极阈值电压（V GS (th)）： 2~4 V. 漏极和源极通态电阻（R DS (on)）： 0.065 Ω. 封装： TO-220.

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Apr 11, 2025 · .VBs ... * M = 1.32 mm to 1.62 mm (dimension including protrusion) Heatsink hole for HVM KNP9120A-VB

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Sep 15, 2014 · KNP9120A 产品描述 漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 20A,10V 最大功率耗 …

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Mar 15, 2024 · These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is …

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